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Norm
ÖVE/ÖNORM EN 62417
Issue date: 2011 01 01
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010) (german version)
In dieser ÖVE/ÖNORM EN ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Wa...
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Valid
Publisher:
Austrian Standards International
Format:
Digital | 9 Pages
Language:
German
ICS
In dieser ÖVE/ÖNORM EN ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Waferniveau zu bestimmen. Das Prüfverfahren ist sowohl auf aktive als auch auf parasitäre Feld-Effekt-Transistoren anwendbar. Die mobile Ladung kann Degradationen des mikroelektronischen Bauelementes verursachen wie eine Schwellspannungsdrift des MOSFET oder eine Basisinversion in Bipolartransistoren.
ÖVE/ÖNORM EN 62417
2011 01 01
Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOS...
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