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Norm
ÖVE/ÖNORM EN 62047-16
Issue date: 2016 02 01
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices -- Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films – Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015) (german version)
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Prüfverfahren zum Messen der Eigenspannungen dünner Schichten mit Dicken im Bereich von 0,01 µm bis 10 µm in MEMS-Strukturen auf Bas...
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Valid
Publisher:
Austrian Standards International
Format:
Digital | 14 Pages
Language:
German
Topics
IT, communication & electronic, Electromechanical components for electronic and telecommunications equipment, Electromechanical components in general
IT, communication & electronic, Electronic components, Other semiconductor devices
IT, communication & electronic, Electronic components, Semiconductor devices in general
Electric & lighting engineering, Electromechanical components for electronic and telecommunications equipment, Electromechanical components in general
In diesem Teil der IEC 62047 sind die Prüfverfahren zum Messen der Eigenspannungen dünner Schichten mit Dicken im Bereich von 0,01 µm bis 10 µm in MEMS-Strukturen auf Basis der Waferkrümmung (Substrat-krümmung) oder des Biegebalkens (Cantilever) festgelegt. Die Schichten sollten auf einem Substrat mit bekannten mechanischen Eigenschaften von Elastizitätsmodul (Young-Modul) und Querkontraktionszahl (Poissonzahl) abgeschieden werden. Diese Verfahren werden angewendet, um die Eigenspannungen innerhalb von Dünnschichten auf Substrat zu bestimmen.
ÖVE/ÖNORM EN 62047-16
2016 02 01
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices -- Part 16: Test methods for determining re...
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