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Norm
DIN EN 62047-9
Issue date: 2012 03
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS (IEC 62047-9:2011); German version EN 62047-9:2011
Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Gl...
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Valid
Publisher:
Deutsches Institut für Normung
Format:
Digital | 26 Pages
Language:
German
Topics
IT, communication & electronic, Electromechanical components for electronic and telecommunications equipment, Electromechanical components in general
IT, communication & electronic, Electronic components, Semiconductor devices in general
Electric & lighting engineering, Electromechanical components for electronic and telecommunications equipment, Electromechanical components in general
Diese Norm legt ein Prüfverfahren zur Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) usw. sowie anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses bzw. der Assemblierung fest. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 µm bis einigen Millimetern.
DIN EN 62047-9
2012 03
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength me...
Norm
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