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DIN EN 62047-26

Issue date: 2016 12

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement methods for micro trench and needle structures (IEC 62047-26:2016); German version EN 62047-26:2016

Dieser Teil der Reihe IEC 62047 legt Begriffe sowie die Beschreibung von Rillen-Strukturen und Nadel-Strukturen im Mikrometerbereich fest. Zusätzlich werden Beispiele für...
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Dieser Teil der Reihe IEC 62047 legt Begriffe sowie die Beschreibung von Rillen-Strukturen und Nadel-Strukturen im Mikrometerbereich fest. Zusätzlich werden Beispiele für Messungen der Geometrie solcher Strukturen bereitgestellt. Bei Rillen-Strukturen ist diese Norm anwendbar bei Strukturen mit einer Tiefe zwischen 1 µm und 100 µm, Wänden und Rillen mit einer Weite von 5 µm bis 150 µm und einem Aspekt-Verhältnis von 0,0067 bis 20. bei Nadel-Strukturen ist die Norm anwendbar für Strukturen mit einer Höhe, horizontalen und vertikalen Weite von 2 µm oder größer und mit Maßen, die in einen Würfel mit 100 µm Seitenlängen passen.
DIN EN 62047-26
2016 12
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 26: Description and measurement metho...
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