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DIN EN 62047-16

Issue date: 2015 12

Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films - Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015); German version EN 62047-16:2015

In diesem Teil der IEC 62047 sind die Messverfahren festgelegt, um die Eigenspannungen dünner Schichten (Schichtspannungen) von MEMS-Bauteilen mithilfe des Substratkrümmu...
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In diesem Teil der IEC 62047 sind die Messverfahren festgelegt, um die Eigenspannungen dünner Schichten (Schichtspannungen) von MEMS-Bauteilen mithilfe des Substratkrümmungs- (Waferkrümmungs-) oder des Biegebalken- (Cantilever-) Verfahrens zu ermitteln. Die Dünnschichten sollten auf einem Substrat abgeschieden sein, von dem die mechanischen Eigenschaften Elastizitätsmodul (Young-Modul) und Querkontraktionszahl (Poissonzahl) bekannt sind.
DIN EN 62047-16
2015 12
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 16: Test methods for determining resi...
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