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Aktuell

ÖVE/ÖNORM EN 62417

Ausgabedatum: 2011 01 01

Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010)

In dieser ÖVE/ÖNORM EN ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Waferniveau zu bestimmen. Das Prüfverfahren ist sowohl auf aktive als auch auf parasitäre Feld-Effekt-Transistoren anwendbar. Die mobile Ladung kann Degradationen des mikroelektronischen Bauelementes verursachen wie eine Schwellspannungsdrift des MOSFET oder eine Basisinversion in Bipolartransistoren.

Allgemeine Information zur ÖVE/ÖNORM EN 62417

Format

Papier | 9 Seiten

Sprache

Deutsch | Englisch

Herausgeber

Austrian Standards International

ICS 31.080.01 Halbleiterbauelemente im Allgemeinen

Häufige Fragen zu ÖVE/ÖNORM EN 62417

Was ist eine „Single-User-Lizenz“?

Beim Kauf eines Standards im Austrian Standards Webshop (z. B. ÖNORM, ISO) ist standardmäßig eine Single-User-Lizenz enthalten. Diese berechtigt eine einzelne Person zur Nutzung. Für den Zugriff durch mehrere Mitarbeitende ist eine Mehrfachnutzungslizenz erforderlich. Sie ermöglicht die unternehmensweite, rechtssichere Nutzung und Weitergabe von Standards.

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Wie kann ich in der Weiterentwicklung dieses Standards mitwirken?

Die Standardisierung lebt von Expertise und Mitwirkung. Interessierte können sich aktiv in die Weiterentwicklung einbringen – etwa durch die Teilnahme im zuständigen Komitee oder in einer Arbeitsgruppe. So gestalten Sie Inhalte mit und tragen zur Weiterentwicklung des Standes der Technik bei.

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Wie kann ich meine Standards effizient verwalten?

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ÖVE/ÖNORM EN 62417 - Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010)

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